根據(jù)集邦咨詢LED研究中心（LEDinside）最新報告《2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術報告》，Micro LED技術發(fā)展早期以專利布局為主，根據(jù)工研院的專利調查，以SONY、Cree及University of Illinois為最早布局的廠商及研究機構，直至2014年因APPLE收購LuxVue之后，進而帶動其他業(yè)者加速發(fā)展Micro LED領域。另外，全世界不同區(qū)域廠商對于Micro LED布局也有不同的策略及發(fā)展。比如臺廠以專業(yè)代工為主；韓廠以策略合作方式發(fā)展；日廠以集團內發(fā)展為主；歐美廠商多半以新創(chuàng)公司及學術機構布局于該領域；中國大陸廠商則發(fā)展較慢，多半處于研究與評估階段。
 
Micro LED發(fā)展歷程

Micro LED的發(fā)展，早期以專利布局為主，在2000年至2013年期間屬于“萌芽期”，市場需求不明下僅有少數(shù)先驅者進行專利的布局，以SONY、Cree及University of Illinois為最早布局的廠商及研究機構， 2014年之后躍入“成長期”，主要原因是來自于APPLE收購LuxVue之后，并且展現(xiàn)出對于Micro LED顯示技術的信心，進而帶動其他業(yè)者及新創(chuàng)公司的加速投入。包括Uniqarta、PlayNitride、Rohinni、Mikro Mesa、QMAT、VUEREAL等，這兩年來已經(jīng)出現(xiàn)面板廠的專利布局，比如AUO、BOE 、 CSOT等。其中，在眾多Micro LED的專利申請中，前三大專利的技術為巨量轉移技術、顯示模組技術及芯片制程技術，合計占所有專利的80%。

Micro LED供應鏈與廠商布局分析

而這幾年來國際大廠也紛紛加入Micro LED的技術開發(fā)，大多是以購并、成立公司內部新事業(yè)單位或新創(chuàng)公司的方式，來進行Micro LED的發(fā)展，這些公司以本身既有的專精領域來做垂直或橫向的發(fā)展，大致可以分為LED磊晶、轉移、面板及品牌等方面，在LED磊晶方面，主要以LED磊晶廠發(fā)展最適合，而巨量轉移部份是技術門檻也是較多廠商投入的領域。中國大陸、中國臺灣、韓國、日本及歐美的廠商對Micro LED布局程度也有所不同，比如：中國臺灣廠商多半是以專業(yè)代工為主，包括友達光電，晶元光電，以及PlayNitride等公司，都與國際大廠進行深入的合作。

中國大陸廠商在Micro LED的發(fā)展腳步較慢。最主要原因中國大陸廠商偏好能夠快入導入量產(chǎn)的技術。因此對于Micro LED技術多半處于研究與評估階段。但部分廠商已經(jīng)悄悄布局與投資。

韓國廠商在顯示器領域的技術布局完整。但是由于韓國廠商的主要資源均集中于OLED產(chǎn)品上，因此對于Micro LED技術則是采取策略合作的方式來參與該技術的開發(fā)與研究。

日本廠商在Micro LED領域，以SONY最為領先，并且布局完整。但是由于日本廠商的供應鏈相對封閉，并且多半在集團內自制完成。因此其他的日本廠商主要是以設備商，或是材料商才有辦法參與其中。而值得關注的是，日韓廠商由于本身在大尺寸的電視領域已占據(jù)主導地位，因此多半聚焦在大尺寸Micro LED顯示器技術的開發(fā)。

歐美廠商多半以新創(chuàng)公司以及學術機構布局于該領域。近年來隨系統(tǒng)大廠逐漸投入開發(fā)該技術，并且透過轉投資與收購的方式進行專利布局在巨量轉移的領域。至于面板領域，則是由于面板的投資金額過高，因此主要與亞洲的面板廠商進行合作開發(fā)。特別是歐美廠商主要聚焦在中小尺寸的Micro LED顯示應用，如手機、投影與穿戴裝置，因此技術局領域多朝此方面發(fā)展。

2019年1月LEDinside針對于2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術進行分析。如需詳細資料，歡迎來電或來信。謝謝您！

LEDinside 2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術報告
出刊時間：2019年01月31日
檔案格式：PDF 
報告語系：繁體中文 /英文
頁數(shù)： 213
季度更新：Micro / Mini LED市場觀點分析 - 廠商動態(tài)、新技術導入、Display Week / Touch Taiwan展場直擊（2019年3月、6月、9月；約計10-15頁/季）

第一章 Micro LED定義與市場規(guī)模分析

Micro LED產(chǎn)品定義
Micro LED產(chǎn)值分析與預測
Micro LED產(chǎn)量分析與預測
Micro LED市場產(chǎn)量分析
Micro LED Display滲透率預測

第二章 Micro LED應用產(chǎn)品與技術發(fā)展趨勢

Micro LED應用產(chǎn)品總覽
Micro LED產(chǎn)品應用規(guī)格總覽
Micro LED應用產(chǎn)品 - 頭戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應用產(chǎn)品 - 頭戴式裝置成本分析
Micro LED應用產(chǎn)品 - 頭戴式裝置出貨量與時程表預估
Micro LED應用產(chǎn)品 - 穿戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應用產(chǎn)品 - 穿戴式裝置成本分析
Micro LED應用產(chǎn)品 - 穿戴式裝置出貨量與時程表預估
Micro LED應用產(chǎn)品 - 手持式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應用產(chǎn)品 - 手持式裝置成本分析
Micro LED應用產(chǎn)品 - 手持式裝置出貨量與時程表預估
Micro LED應用產(chǎn)品 - IT裝置規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應用產(chǎn)品 - IT 顯示器裝置成本分析
Micro LED應用產(chǎn)品 - IT裝置出貨量與時程表預估
Micro LED應用產(chǎn)品 - 車用顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應用產(chǎn)品 - 車用顯示器裝置成本分析
Micro LED應用產(chǎn)品 - 車用顯示器出貨量與時程表預估
Micro LED應用產(chǎn)品 - 電視顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應用產(chǎn)品 - 電視顯示器裝置成本分析
Micro LED應用產(chǎn)品 - 電視出貨量與時程表預估
Micro LED應用產(chǎn)品 - LED顯示屏規(guī)格發(fā)展趨勢
Micro LED應用產(chǎn)品 - LED顯示屏裝置成本分析
Micro LED應用產(chǎn)品 - LED顯示屏出貨量與時程表預估

第三章 Micro LED專利布局分析

2000-2018 Micro LED專利布局 - 歷年專利家族分析
2000-2018 Micro LED專利布局 - 區(qū)域分析
2000-2018 Micro LED專利布局 - 技術分析
2000-2018 Micro LED專利布局 - 廠商分析
2001-2018 Micro LED專利布局 - 歷年巨量轉移技術專利家族分析
巨量轉移技術 - 專利技術總覽
巨量轉移技術 - 專利技術分類
2001-2018 Micro LED專利布局 - 巨量轉移技術專利家族分析
巨量轉移技術 - 品牌廠商技術布局分析
巨量轉移技術 - 新創(chuàng)公司與研究機構技術布局分析

第四章 Micro LED技術瓶頸與解決方案

Micro LED產(chǎn)業(yè)技術總覽分析
Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 制造流程
Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - LED磊晶與芯片制程
Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 轉移技術/黏接技術/驅動與背板技術

第五章 磊晶技術瓶頸與挑戰(zhàn)分析

磊晶技術 - 解決方案
磊晶技術 - 磊晶架構與發(fā)光原理
磊晶技術 - 磊晶發(fā)光層材料與光效
磊晶技術 - 芯片微縮化的漏電問題造成光效降低
磊晶技術 - 設備技術分類
磊晶技術 - 設備技術比較
磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類
磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類 - 波長均一性
磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類 - 磊晶缺陷控制
磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類 - 磊晶外延片的利用率提升
磊晶技術 - 適用性分析

第六章 芯片制程技術瓶頸與挑戰(zhàn)分析

芯片制程技術 - LED芯片微縮的發(fā)展
芯片制程技術 - LED芯片生產(chǎn)流程
芯片制程技術 - 水平，覆晶與垂直芯片結構性之差異
芯片制程技術 - 微型化LED芯片（含藍寶石基板）切割技術
芯片制程技術 - 微型化LED芯片（不含藍寶石基板）切割技術
芯片制程技術 - 激光剝離基板技術
芯片制程技術 - 弱化結構與絕緣層
芯片制程技術 - 弱化結構設計
芯片制程技術 - 巨量轉移頭設計
芯片制程技術 - 傳統(tǒng)LED與Micro LED芯片制程差異

第七章 巨量轉移技術瓶頸與挑戰(zhàn)分析

巨量轉移技術 - 轉移技術分類
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術分類
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 拾取放置技術流程
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 非選擇性拾取技術
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 選擇性拾取技術以提升晶圓利用率
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 修補應用上的選擇性拾取技術
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 影響產(chǎn)能的因素
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 大型轉移頭尺寸提升產(chǎn)能的方案
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 轉移頭精準度要求更高
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 轉移次數(shù)和晶圓利用率比較
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 轉移運轉周期與產(chǎn)能比較
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術：Apple (LuxVue)
靜電吸附+相變化轉移方式
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術：Samsung
芯片轉移與翻轉方式
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 凡得瓦力轉印技術介紹
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：X-Celeprint
凡得瓦力轉印方式
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：ITRI
電磁力轉移方式
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹： Mikro Mesa
利用黏合力與反作用力轉移技術
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：AUO
靜電吸附力與反作用力方式
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：VueReal
Solid Printing技術
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：Rohinni
頂針對位轉移技術
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 流體組裝技術流程
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：eLux
流體裝配方式
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：PlayNitride
流體分散轉印技術
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 激光轉移技術流程
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 激光轉移技術分類
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：Sony
激光轉移技術
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：QMAT
BAR轉移方式
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：Uniqarta
多光束轉移技術
巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹：OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 滾軸轉寫技術流程
巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹：KIMM
滾軸轉寫技術
巨量轉移技術 - Micro LED巨量轉移技術上面臨七大挑戰(zhàn)
巨量轉移技術 - 轉移制程良率取決于制程能力的控制
巨量轉移技術 - 適用性分析

第八章 檢測技術瓶頸與挑戰(zhàn)分析

Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 檢測技術流程
檢測技術 - 檢測方式
檢測技術 - 電特性檢測
檢測技術 - 電致發(fā)光(EL)原理
檢測技術 - 光特性檢測
檢測技術 - 光致發(fā)光(PL)原理
檢測技術 - 巨量檢測技術總覽
巨量檢測方式 - 光致發(fā)光檢測技術
巨量檢測方式 - 數(shù)碼相機光電檢測技術
巨量檢測方式 - 接觸式光電檢測技術
巨量檢測方式 - 非接觸式光電檢測技術
巨量檢測方式 - 非接觸式EL檢測技術
巨量檢測方式 - 紫外線照射光電檢測技術
巨量檢測技術差異性比較

第九章 維修技術瓶頸與挑戰(zhàn)分析

Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 維修技術
Micro LED維修技術方案
維修技術方案 - 紫外線照射維修技術
Micro LED的壞點維修流程
維修技術方案 - 紫外線照射維修技術
壞點維修技術分析
維修技術方案 - 紫外線照射維修技術
轉移頭拾取之過程
維修技術方案 - 激光熔接維修技術
維修技術方案 - 選擇性拾取維修技術
維修技術方案 - 選擇性激光維修技術
維修技術方案 - 備援電路設計方案
Micro LED的主動缺陷偵測設計

第十章 全彩化技術瓶頸與挑戰(zhàn)分析

全彩化技術解決方案種類
全彩化技術解決方案 - RGB芯片色彩化技術
全彩化技術解決方案 - RGB在相同晶圓上的量子光子成像
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技術解決方案 - 量子點的色轉換技術
全彩化技術解決方案 - 量子點色轉換技術與應用
全彩化技術解決方案 - 量子井的色轉換技術
全彩化技術解決方案 - 總覽
全彩化技術解決方案 - 適用性分析

第十一章 接合技術瓶頸與挑戰(zhàn)分析

接合技術 - 技術分類
接合技術 - 表面黏著技術方案
接合技術 - 共晶波焊組裝技術方案
接合技術 - 異方性導電膠(ACF)方案
接合技術 - 異方性導電膠水(SAP)方案
接合技術 - 晶圓結合技術(Wafer Bonding)方案
接合技術 - 晶圓接合 (Wafer Bonding) 困難度分析
接合技術 - Micro TUBE方案
接合技術 - 技術困難度分析
接合技術 - 適用性分析

第十二章 驅動技術瓶頸與挑戰(zhàn)分析

驅動技術 - 驅動方案分類
驅動技術 - 驅動IC的重要性
驅動技術 - LED的伏安特性與光通量關系
驅動技術 - 開關電源控制技術分類
驅動技術 - 開關電源控制PWM與Duty Cycle的關系
驅動技術 - 顯示屏驅動方案 - 主動式驅動與被動式驅動比較
驅動技術 - 顯示屏驅動方案 - 掃描方式與畫面更新率
驅動技術 - 顯示屏驅動方案 - 小間距顯示屏問題點分析
驅動技術 - TFT薄膜電晶體 - 液晶顯示器之驅動架構
驅動技術 - TFT薄膜電晶體 - 主動式驅動 V.S 被動式驅動
驅動技術 - TFT薄膜電晶體 - 影響顯示品質之干擾因素分析
驅動技術 - OLED驅動方案 - OLED的光電特性
驅動技術 - OLED驅動方案 - 被動式驅動
驅動技術 - OLED驅動方案 - 主動式驅動
驅動技術 - Micro LED驅動方案 - 被動式驅動
驅動技術 - Micro LED驅動方案 - 主動式驅動
OLED顯示器 vs Micro LED顯示器電源驅動模組差異性

第十三章 驅動技術瓶頸與挑戰(zhàn)分析

背板技術 - 顯示器背板的架構
背板技術 - 背板材料的分類
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板與畫素開關元件運作原理
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板與畫素開關元件特性
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板的尺寸發(fā)展
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板脹縮挑戰(zhàn)
背板技術 - 整合式背板-玻璃基板搭配開關元件應用現(xiàn)況
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件架構
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板a-Si畫素開關元件制程
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板IGZO畫素開關元件制程
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板LTPS畫素開關元件制程
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件解析度差異
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件功耗差異
背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件漏電性差異
背板技術 - 整合式背板 - 可撓式基板基板與畫素開關元件特性
背板技術 - 整合式背板 - 可撓式基板制作流程
背板技術 - 整合式背板 - 可撓式基板材料特性
背板技術 - 整合式背板 - Silicon背板架構
背板技術 - 整合式背板 - Silicon背板制作流程
背板技術 - 整合式背板 - Silicon背板材料特性
背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板外觀架構
背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板結構
背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板基材熱效應
背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板基材差異性比較
背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板制作挑戰(zhàn)
背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板尺寸限制
背板技術差異性比較
背板技術 - 適用性分析

第十四章 Micro LED供應鏈與廠商布局分析

全球Micro LED主要廠商供應鏈分析
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 - 中國臺灣廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 - 中國大陸廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 - 韓國廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 - 日本廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動態(tài)分析 - 歐美廠商