集邦咨詢LED研究中心（LEDinside）最新報(bào)告1Q17 Micro LED次世代顯示技術(shù)市場(chǎng)會(huì)員報(bào)告表示，Micro LED關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展方向涵蓋四大面向，包含磊晶與芯片技術(shù)、轉(zhuǎn)移技術(shù)、鍵結(jié)技術(shù)（Bonding）、彩色化方案等。

轉(zhuǎn)移技術(shù)

薄膜轉(zhuǎn)移的核心技術(shù)在于如何大量的抓取微米等級(jí)的薄膜磊晶，現(xiàn)階段的抓取方式大致上可以區(qū)分為以物理特性去做抓取方式，或是以化學(xué)材料去做抓取。以物理性的抓取為例，LuxVue采取透過(guò)靜電力吸附微小組件的方式。而化學(xué)性的抓取以X-Celeprint為代表，利用Elastomer Stamp為介質(zhì)，并且利用凡德瓦力來(lái)做抓取。除此之外，還有許多廠商各自開發(fā)許多種抓取方式。

薄膜轉(zhuǎn)移的另一項(xiàng)核心技術(shù)在于如何去選擇想要抓取的微米等級(jí)的薄膜磊晶，例如多數(shù)采用抓取力量的大小來(lái)控制想要選取的目標(biāo)，例如前述提到的透過(guò)靜電力，或是凡德瓦力，并針對(duì)想要特定抓取的目標(biāo)施予不同程度的能量來(lái)做選擇。除此之外，SONY也利用雷射燒灼的方式，來(lái)選取特定的目標(biāo)目標(biāo)。

最后，一般用于封裝前將LED芯片內(nèi)部電路用金線與基板做連接與電路導(dǎo)通。但是由于Micro LED的芯片過(guò)于微小，已經(jīng)沒(méi)有辦法用ㄧ般的金屬打線方式來(lái)與基板結(jié)合，因此需要用其他的方式來(lái)與基板做集合。因此未來(lái)的技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)在于拿何種材料來(lái)進(jìn)行接合與轉(zhuǎn)移。（文：Roger, Skavy, Joanne, Joey / LEDinside）

1Q17 Micro LED 次世代顯示技術(shù)市場(chǎng)- 綱要

Micro LED 顯示器究竟是何方神圣?

♦ 何謂Micro LED 顯示器
♦  Micro LED Display 生產(chǎn)流程圖
♦  LED 顯示應(yīng)用代表-背光與像素光
♦  當(dāng)LED大于像素-傳統(tǒng)背光
♦  像素大于LED-Micro LED
♦  高密度電路與高密度光源的結(jié)合
♦  未來(lái)的顯示技術(shù)將會(huì)進(jìn)入自發(fā)光的時(shí)代
♦  LCD v.s. OLED v.s. Micro LED 分析
♦  Micro LED打開顯示技術(shù)的疆界

Micro LED 關(guān)鍵技術(shù)探討

♦  Micro LED 關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展方向
♦  磊晶與芯片技術(shù)
♦  轉(zhuǎn)移技術(shù)
♦  轉(zhuǎn)移技術(shù)- Pick Up 拾取
♦  轉(zhuǎn)移技術(shù)- Selectivity 選擇
♦  轉(zhuǎn)移技術(shù)- Placement 放置
♦  彩色化方案

Micro LED 價(jià)值鏈與轉(zhuǎn)移廠商現(xiàn)況分析

♦  Micro LED 價(jià)值鏈- Micro LED / QD 熒光粉 / 轉(zhuǎn)移廠商 / 面板 / 驅(qū)動(dòng)IC
♦  Micro LED供應(yīng)鏈相關(guān)企業(yè)與主要專利布局重點(diǎn)
♦  專利分類項(xiàng)目定義
♦  LuxVue- 靜電吸附轉(zhuǎn)移技術(shù)，仍未見是完美解決方案
♦  LuxVue- Micro LED 新專利，加強(qiáng)微型裝置數(shù)組穩(wěn)定度
♦  X-Celeprin- 以轉(zhuǎn)移為核心技術(shù)，研發(fā)顯示技術(shù)為輔
♦  X-Celeprint- μTP轉(zhuǎn)移技術(shù)仍有許多問(wèn)題需逐一克服
♦  X-Celeprint- 主動(dòng) v.s. 被動(dòng)尋址化驅(qū)動(dòng)技術(shù)產(chǎn)品規(guī)劃
♦  Sony- 長(zhǎng)期布局Micro LED 技術(shù)
♦  Sony- 透過(guò)雷射燒灼(Laser Ablation)技術(shù)，來(lái)選擇特定的器件完成轉(zhuǎn)移
♦  ITRI 工研院- 積極發(fā)展轉(zhuǎn)移技術(shù)采用主動(dòng)尋址化驅(qū)動(dòng)技術(shù)
♦  ITRI 工研院- 透過(guò)Pick & Placing技術(shù)，可以抓取1 µm ~100 µm的微電子組件
♦  PlayNitride 镎創(chuàng)- 專利于PixeLED 與芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)
♦  PlayNitride 镎創(chuàng)- 專長(zhǎng)于LED芯片與轉(zhuǎn)移技術(shù)
♦  Mikro Mesa- 芯片最小尺寸可達(dá)到3微米，采用垂直LED芯片結(jié)構(gòu)
♦  Mikro Mesa- 薄膜轉(zhuǎn)移專利布局
♦  Ostendo Technology Inc. USA- 量子光子成像 (Qantum Photonic Imager) 全息顯示技術(shù)
♦  Ostendo Technology Inc. USA- QPI專利在單個(gè)LED磊晶上實(shí)現(xiàn)全彩LED
♦  專利含量整理分析- Transfer & Bonding
♦  專利含量整理分析- Micro LED & Substrate