世創(chuàng)電子材料公司Siltronic AG日前宣布,公司與比利時(shí)微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC達(dá)成協(xié)議,雙方合作屬于IMEC氮化鎵工業(yè)聯(lián)盟計(jì)劃(IIAP)中的一部分,主要是為下一代LED以及功率半導(dǎo)體原件提供能夠在200 mm的硅晶片上生長(zhǎng)的GaN層。
GaN是一種非常有前途的材料,它具有優(yōu)良的電子移動(dòng)性、高的擊穿電壓和良好的導(dǎo)熱性,適合應(yīng)用于光電學(xué)以及制造功率半導(dǎo)體原件,比如風(fēng)力渦輪機(jī)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)、電動(dòng)汽車和節(jié)能型廚房器具等。不過,為實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶片上生長(zhǎng)GaN/(Al)GaN外延層,GaN技術(shù)還需進(jìn)一步完善,并需尋求廉價(jià)而高效的生產(chǎn)方法。
目前,除Siltronic公司外,還有其它很多參與者加入到了這個(gè)跨國研究平臺(tái)中,如集成設(shè)備商、鑄造廠、硅化合物以及硅基底材料生產(chǎn)商。