LED芯片大廠美國(guó)Cree公司在14-15日在日經(jīng)電子和日經(jīng)微器件共同舉辦的LED技術(shù)研討會(huì)2007上，介紹了在SiC底板上形成的藍(lán)色LED的開發(fā)狀況，并展示了開發(fā)中的藍(lán)色LED芯片的結(jié)構(gòu)。? ?

在藍(lán)色LED的光輸出功率方面，Cree預(yù)測(cè)表示，輸入電流為20mA的產(chǎn)品，最大輸出功率07年7月將達(dá)36mW,08年7月將達(dá)40mW,09年7月將提高到44mW;輸入電流為350mA的產(chǎn)品，最大光輸出效率07年1月為340mW,預(yù)計(jì)08年1月可達(dá)420mW,09年1月將為500mW,09年10月達(dá)到550mW,并將一直提高下去。而與螢光材料組合而成的白色LED，目前量產(chǎn)產(chǎn)品的發(fā)光效率為80lm/W,開發(fā)產(chǎn)品已達(dá)到了120lm/W,09年可望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品發(fā)光效率達(dá)120lm/W。? ?

另外，Cree公司還展示了開發(fā)中的藍(lán)色LED芯片的結(jié)構(gòu)，它在SiC底板上使得GaN發(fā)生外延生長(zhǎng)(Epitaxial Growth)。該芯片結(jié)構(gòu)為，不采用下部電極而從表面實(shí)現(xiàn)正負(fù)極連接的2線焊(Wire Bonding)連接倒裝芯片(Flip Chip)結(jié)構(gòu)。由于沒有下部電極，所以發(fā)光層發(fā)出的光在GaN層內(nèi)不再發(fā)生反覆反射，與之前的芯片結(jié)構(gòu)相比，芯片的光取出效率將會(huì)大大提高。