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露笑科技碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目開工,投資近7億元

7月30日,浙江紹興諸暨重大項目集中開工儀式在數(shù)字安防產(chǎn)業(yè)基地舉行。

據(jù)紹興發(fā)布指出,本次開工的項目共17個,總投資達201.5億元!其中,9個產(chǎn)業(yè)項目,8個基礎(chǔ)設(shè)施項目,涉及新材料、疫情防治、機械制造、數(shù)字經(jīng)濟、城市治理等眾多領(lǐng)域。

其中浙江露笑碳硅晶體有限公司新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目也同步開工。據(jù)悉,該項目計劃總投資6.95億元,項目主要采用碳化硅升華法長晶工藝及SiC襯底加工工藝,引進具有國際先進水平的6英寸導(dǎo)電晶體生長爐、4英寸高純半絕緣晶體生長爐等設(shè)備,購置多線切割機、拋光機等國產(chǎn)設(shè)備,建成后形成年產(chǎn)8.8萬片碳化硅襯底片的生產(chǎn)能力。

今年4月12日,露笑科技曾發(fā)布非公開發(fā)行股票預(yù)案稱,擬募集資金總額不超過100,000萬元,扣除發(fā)行費用后將用于“新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目”、“碳化硅研發(fā)中心項目”和“償還銀行貸款”項目。

其中新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目總投資金額為69,456萬元,擬使用募集資金投入65,000萬元,該項目建設(shè)期24個月,擬生產(chǎn)碳化硅襯底片等產(chǎn)品,項目產(chǎn)品具有尺寸大、更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。

露笑科技表示,新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目對于滿足國內(nèi)外快速增長的4英寸、6英寸及以上尺寸級別的碳化硅襯底片市場需求,促進襯底片質(zhì)量與成品率水平的提升將發(fā)揮較為重要作用。(來源:全球半導(dǎo)體觀察)

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