工業(yè)和信息化部科技司2019年5月20日發(fā)布的《電子行業(yè)7項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、29項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)及2項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)修改單報(bào)批公示》顯示：

《基板式（COB）LED空白詳細(xì)規(guī)范》《芯片級(jí)封裝（CSP）LED空白詳細(xì)規(guī)范》2項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、《半導(dǎo)體發(fā)光二極管光輻射安全 第1部分:要求與等級(jí)分類(lèi)方法》《半導(dǎo)體發(fā)光二極管光輻射安全 第2部分:測(cè)試方法》《發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法》3項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制訂工作已經(jīng)完成，目前正處于公示階段，公示時(shí)間：2019年5月20日—2019年6月19日。

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標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：SJ/T 11733-2019
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：基板式（COB）LED空白詳細(xì)規(guī)范
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了基板式（COB）LED的技術(shù)要求，主要內(nèi)容包括COB LED的一般要求、極限值、光電特性、試驗(yàn)條件和試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)要求等。

標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：SJ/T 11734-2019
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：芯片級(jí)封裝（CSP）LED空白詳細(xì)規(guī)范
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定芯片級(jí)封裝（CSP）LED的技術(shù)要求，主要內(nèi)容包括COB LED的一般要求、極限值、光電特性、試驗(yàn)條件和試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)要求等。

計(jì)劃編號(hào)：20100031-T-339
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：半導(dǎo)體發(fā)光二極管光輻射安全 第1部分:要求與等級(jí)分類(lèi)方法
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體發(fā)光二極管的光輻射安全要求與危險(xiǎn)等級(jí)分類(lèi)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于光輻射波長(zhǎng)為近紫外和可見(jiàn)光區(qū)域(300～780 nm)的單芯片或多芯片LED。

計(jì)劃編號(hào)：20100032-T-339
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：半導(dǎo)體發(fā)光二極管光輻射安全 第2部分:測(cè)試方法
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體發(fā)光二極管的光輻射安全的測(cè)試方法，適用于光輻射波長(zhǎng)為近紫外和可見(jiàn)光區(qū)域（300～780 nm）的單芯片或多芯片LED。

計(jì)劃編號(hào)：20151774-T-339
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由單個(gè)、多個(gè)發(fā)光二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)LED)芯片或器件組成的LED模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于單個(gè)、多個(gè)LED芯片或器件封裝而成的模塊，以及LED芯片或器件和其他微電子器件構(gòu)成的模塊熱特性測(cè)量。

來(lái)源：照明工程學(xué)報(bào)

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