5月7日，Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元（折合人民幣約67.8億元）用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能，在公司美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級(jí)工廠。其中，4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級(jí)工廠（mega factory）；1億美元用于伴隨著業(yè)務(wù)增長所需要的其它投入。

這項(xiàng)投資是Cree迄今為止最大的投資，將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業(yè)務(wù)提供動(dòng)能。在2024年全部完工之后，這些工廠將極大增強(qiáng)公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產(chǎn)能，使得寬禁帶半導(dǎo)體材料解決方案為汽車、通訊設(shè)施和工業(yè)市場(chǎng)帶來巨大技術(shù)轉(zhuǎn)變。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示：“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用SiC碳化硅的優(yōu)勢(shì)來驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是，現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能夠滿足我們對(duì)于SiC碳化硅的需求。今天，我們宣布了公司迄今在生產(chǎn)制造的最大投資，將大幅地提升供應(yīng)，幫助客戶為市場(chǎng)提供變革性的產(chǎn)品和服務(wù)。這項(xiàng)在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入，將為我們顯著擴(kuò)大產(chǎn)能。與2017財(cái)年第一季度（也就是我們開始擴(kuò)大產(chǎn)能的第一階段）相比較，能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和材料生產(chǎn)的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未來5年乃至更長遠(yuǎn)的預(yù)期增長。”

這項(xiàng)計(jì)劃將為業(yè)界領(lǐng)先的Wolfspeed SiC碳化硅業(yè)務(wù)提供附加產(chǎn)能。通過增建現(xiàn)有的建筑設(shè)施，作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠，邁出滿足預(yù)期市場(chǎng)需求的第一步。新的North Fab將被設(shè)計(jì)成能夠全面滿足汽車認(rèn)證的工廠，其生產(chǎn)提供的晶圓表面積將會(huì)是今天現(xiàn)有的18倍，剛開始階段將進(jìn)行150mm晶圓的生產(chǎn)。公司將把現(xiàn)有在達(dá)勒姆的生產(chǎn)和材料工廠轉(zhuǎn)變?yōu)橐蛔牧铣?jí)工廠。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生同時(shí)還表示：“這些SiC碳化硅制造超級(jí)工廠，將加速當(dāng)今最快增長市場(chǎng)的創(chuàng)新。通過提供解決方案，幫助提高EV電動(dòng)汽車的行駛里程并減少充電時(shí)間，同時(shí)支持5G網(wǎng)絡(luò)在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術(shù)和制造有史以來最大的資本投資，也是一種在財(cái)政上負(fù)責(zé)任的方式。通過采用現(xiàn)有工廠和安裝絕大部分的整新工具，我們相信我們可以實(shí)現(xiàn)提供最先進(jìn)技術(shù)的200mm fab，并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”

擴(kuò)大的園區(qū)將創(chuàng)造高科技就業(yè)機(jī)會(huì)，并提供先進(jìn)制造人才發(fā)展計(jì)劃。Cree計(jì)劃與州、當(dāng)?shù)睾退哪曛圃盒ｉ_展培訓(xùn)項(xiàng)目，為新工廠所帶來的長期、高端就業(yè)和成長機(jī)遇提供人才儲(chǔ)備。

來源：Cree

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