Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 今日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為 microLED 生產(chǎn)應用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時，展示 ALLOS 200 mm 硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在 Veeco Propel® MOCVD 反應器上的可復制性。

“要將 microLED 技術(shù)轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)，僅依據(jù)單項指標展示主導價值是不夠的。我們必須確保每種外延片的整套規(guī)格都具有出色的可重復性和收益，”Veeco Compound Semiconductor 業(yè)務(wù)部門高級副總裁兼總經(jīng)理 Peo Hansson 博士表示。“此次成功聯(lián)合再次肯定 Veeco 的優(yōu)秀 MOCVD 專業(yè)知識與 ALLOS 硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)強強結(jié)合，能夠為客戶提供經(jīng)驗證的、可靠的創(chuàng)新方案，加速推進 microLED 應用。”

作為標準，傳統(tǒng) LED 技術(shù)通過分類和分級實現(xiàn)波長一致性。但鑒于 microLED 尺寸小、數(shù)量多而無法分類和分級，因此，外延沉積的一致性變得更為重要。要使大批量生產(chǎn) microLED 顯示器的承諾變成現(xiàn)實，最重要的成功要素在于實現(xiàn)極佳的發(fā)射波長一致性，這樣就不需要進行單獨的 microLED 芯片測試和分選。根據(jù)業(yè)內(nèi)目標要求，外延片分級應介于 +/-1 nm（下限）和 +/-4 nm（上限）之間，取決于應用和傳質(zhì)方法。通過合作項目，Veeco 和 ALLOS 通過標準偏差僅為 0.85 nm 的晶片進一步改善至關(guān)重要的波長一致性，這在生產(chǎn)系統(tǒng)方面屬于行業(yè)首例。

“Veeco 和 ALLOS 對晶片之間的可復制性進行了驗證，所有晶片的平均波長標準偏差為 1.21 nm，且峰值波長介于 +/-0.5 nm 范圍內(nèi)。由此，我們朝著 +/-1 nm 外延片分級的目標又邁進一大步，”ALLOS 首席執(zhí)行官 Burkhard Slischka 表示。“我們的技術(shù)已經(jīng)可以在直徑 200 mm 的晶片上使用，這樣就能使用低成本、高收益的硅系列進行 microLED 芯片生產(chǎn)。此外，我們對于 300 mm 晶片應用已有清晰的發(fā)展藍圖。”

作為下一個重大技術(shù)轉(zhuǎn)變主題，microLED備受顯示器技術(shù)創(chuàng)新者的關(guān)注。根據(jù)LEDinside 分析，Micro LED 市場產(chǎn)值於2022 年將達31.8億美金。邊長小于 100 µm 的 microLED 技術(shù)被視作開發(fā)功耗更低的旗艦顯示器的重要驅(qū)動因素，相關(guān)技術(shù)承諾助長了這一樂觀情緒。但是，材料成本高、收益低以及 microLED 傳質(zhì)技術(shù)產(chǎn)量一直阻礙著此類顯示器的開發(fā)。此次技術(shù)聯(lián)合有效地解決了這些挑戰(zhàn)，Veeco 和 ALLOS 將繼續(xù)與客戶合作，旨在進一步改善硅基氮化鎵外延片和 microLED 傳質(zhì)技術(shù)。

2018 年 11 月 12 日，兩家公司將攜手在日本金澤市召開的國際氮化物半導體工作研討會 (IWN) 上詳細展示他們的突破成就。