日裔美籍學者中村修二(Shuji Nakamura)憑借藍光LED當選2014年諾貝爾物理學獎的獲獎者之一。
之后,中村修二與大眾分享了其獲獎感言:“對于我從事的藍色LED發(fā)明,能夠被授予諾貝爾獎,對此感到無上榮光??吹絃ED照明這一自己的夢想變成現實,真正體會到了自己的愿望實現了時的心情。希望節(jié)能出色的LED燈有助于減少全球的能源消耗,降低照明成本。”
中村修二目前在美國加利福尼亞大學圣塔芭芭拉分校(UCSB)任教授一職。UCSB對于中村開發(fā)的GaN基半導體光器件表示,“這是在過去30年半導體材料科學領域中,最為重要的成就之一”。其中,GaN的p型摻雜的成功,是尤為值得稱贊的成果。這是通過對GaN摻雜Mg后利用氮氣環(huán)境下的升溫退火(Post-thermal Annealing)實現的。
此外UCSB還介紹說,中村到UCSB后繼續(xù)研究GaN薄膜技術,并于2007年開發(fā)出了全球首例非極性藍紫色激光器。(責編:Nicole)
來源:日經技術在線
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