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日商AIR WATER選用愛思強系統(tǒng)生產GaN-on-SiC-on-Si

2013-08-30 08:11:26 [編輯：nicolelee]
德國AIXTRON愛思強 29日宣布，日本安曇野市的愛沃特株式會社（AIR WATER）告稱已成功安裝一套8x6英寸規(guī)格的全自動的愛思強AIX G5 HT行星式反應器，用于氮化鎵外延層的生長。

AIR WATER之所以選用愛思強MOCVD系統(tǒng)，是基于該系統(tǒng)能夠實現(xiàn)優(yōu)越的材料均勻性，這是發(fā)揮AIR WATER在氮化鎵外延基材方面的優(yōu)勢的一個關鍵要素。在系統(tǒng)安裝完成后，該公司已宣布今年內推出在硅基材上生長的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC-on-Si），充分發(fā)揮該系統(tǒng)的卓越生產效率。為應對日后的市場需求，AIR WATER也正考慮將該系統(tǒng)升級為愛思強AIX G5+系統(tǒng)，升級后的系統(tǒng)能夠處理5x200毫米（8英寸）規(guī)格的硅基材。
 
與傳統(tǒng)的硅基材相比，增加的碳化硅層具有能在氮化鎵的初始成核過程保護硅基材的優(yōu)點。碳化硅本身的晶體結構使得其被視為氮化鎵生長的理想模板。因此，硅基碳化硅基材能夠生長出大面積、晶體質量卓越的氮化鎵層。在廣泛的高功率及LED應用中，這一特性能帶來效率的提高和實現(xiàn)成本節(jié)約。

AIR WATER是一家日本領先的工業(yè)氣體制造商，作為半導體氣體業(yè)務的一部分，該公司已針對功率器件和LED應用開發(fā)出在硅基上生長的碳化硅。在此方面，該公司已在8英寸規(guī)格大的硅基材上成功生產出高品質3C-SiC (111)，同時也已宣布推出此類產品，以滿足就制造LED及電力電子應用的電子器件所需的氮化鎵外延生長。（責編：Flora）
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