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愛思強AIX G5+硅基氮化鎵技術(shù)榮獲2013年化合物半導體制造獎

2013-03-06 08:35:47 [編輯：jamiehou]

愛思強股份有限公司昨日宣布，其最新的硅基氮化鎵生長設備AIX G5+反應器，榮獲“2013年化合物半導體制造獎”。 該獎項旨在表彰在有關(guān)芯片制造工藝領(lǐng)域從研究到成品器件等關(guān)鍵環(huán)節(jié)中取得的卓越創(chuàng)新成就，推動行業(yè)向前發(fā)展的人士、工藝和產(chǎn)品。



愛思強股份有限公司首席技術(shù)官Andreas Toennis表示： “我們一直走在硅基氮化鎵技術(shù)的前沿，我們非常高興能榮獲此獎項，這是化合物半導體行業(yè)對我們所取得成就的充分認可。AIX G5+反應器旨在實現(xiàn)在硅基材上生長氮化鎵，并提供可媲美藍寶石基材生長工藝的性能和產(chǎn)量。”

“硅基氮化鎵技術(shù)勢將成為未來電力電子應用的技術(shù)選擇，且在低成本高亮度LED制造方面擁有廣闊的應用前景，”愛思強歐洲副總裁Frank Schulte博士補充說。

據(jù)了解，AIX G5+每生產(chǎn)批次可處理五個直徑為200mm的晶圓，通過大面積的基材，有效提高氮化鎵設備的產(chǎn)量和良率。


 

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