富士康(Foxconn) 近日研發(fā)新技術(shù)用來提升LED的量子效率，該項(xiàng)美國專利的申請將挑戰(zhàn)目前LED芯片廠的工藝技術(shù)。富士康這項(xiàng)提升LED的量子效率的新技術(shù)，是通過納米微粒摻雜局限層(confining layer)的方式，讓氮化銦鎵(InGaN)與砷化鋁鎵(AlGaAs)活性層的晶格排列更平滑有序。研發(fā)人員宣稱以氫化的碳化硅 (hydrogenated SiC)作為LED的基板材料，可以有效改善LED芯片的散熱問題。

此外，富士康還在5月28日提出兩項(xiàng)LED專利的申請，范圍包括使用InGaN或AlGaAs作為活性層、單量子阱或多重量子阱層。富士康的LED與一般 LED外延結(jié)構(gòu)的差別在于，前者在活性層兩側(cè)的局限層摻雜了直徑20-200 nm的納米微粒。

發(fā)明人陳杰良(Ga-Lane Chen)為鴻海集團(tuán)的首席技術(shù)官，他在專利申請書中指出，摻入的納米微?？梢允堑?SiN)、氧化硅(SiO)、氧化鎵(GaO)、氮化鎵 (AlN)或氮化硼(BN)，將有助于改善LED裸晶的芯片質(zhì)量。專利中寫道，納米微?？梢愿淖僴型與p型局限層的晶格常數(shù) (lattice constant)，進(jìn)而減少晶格的應(yīng)變。通過減小應(yīng)變，在n型局限層上沉積活性層以及在活性層上沉積p型局限層時，可以降低晶格錯位 (dislocations)產(chǎn)生的機(jī)會。此外，晶格應(yīng)變減小也會使活性層與局限層間的應(yīng)力降低，進(jìn)而改善量子效率。