近日,日本大廠同和電子(DOWA Electronics)宣佈,開發(fā)成功了發(fā)光波長(zhǎng)為325~350nm的深紫外LED芯片。比目前市售的紫外LED發(fā)光波長(zhǎng)短,實(shí)現(xiàn)了該波長(zhǎng)范圍全球最高水準(zhǔn)的輸出功率。該公司正在進(jìn)行旨在實(shí)現(xiàn)深紫外LED量產(chǎn)的試驗(yàn),力爭(zhēng)2008年內(nèi)開始樣品供
這款新的紫外線LED芯片采用了在藍(lán)寶石底板上高溫外延生成的AIN層范本,并結(jié)合使用從美國(guó)帕洛阿爾托研究中心(Palo Alto Research Center)引進(jìn)的紫外LED外延生長(zhǎng)技術(shù)。
同和電子具有制造高品質(zhì)AIN范本的技術(shù),該公司介紹說(shuō),用AIN范本作為緩沖層,可有效降低促使結(jié)晶生長(zhǎng)的氮化鎵(GaN)材料的變形。