在LED戶外看板、交通號志及LCD背光應用持續(xù)擴大下，高功率LED需求也水漲船高，晶電在2007年是臺灣唯一藍光芯片亮度可達1,700mcd小量 產(chǎn)出的廠商，據(jù)指出，在技術提升及良率提高下，110 lm/W藍光LED在2008年將從實驗室研發(fā)正式邁入量產(chǎn)階段，依照下游封裝廠技術不同，亮度將達1,800mcd~2,000mcd之間，可望應用在 高階NB背光或戶外看板應用。

高功率LED受到封裝過程復雜及材料消耗較大，使得高功率LED單顆成本較高，不過當高功率LED的發(fā)光效率不斷提高，可提供業(yè)者降低LED每一流明的購 買成本，并降低LED顆數(shù)使用量，根據(jù)業(yè)者研發(fā)規(guī)劃，電流20mA的白光LED在2015年約可達到175 lm/W以上，到了2020年將可達到200 lm/W。

日本LED大廠日亞化在2006年12月發(fā)表白光LED發(fā)光效率，芯片14mil、電流20mA的小尺寸LED已達到150lm/W，而晶電也在2007 年7月達到110 lm/W，但在良率及廠商認證問題下，尚未正式邁入量產(chǎn)階段，但據(jù)指出，晶電在2008年已可順利提升良率問題，在封裝后將可達到 1,800mcd~2,000mcd的亮度水準。

由于高階NB背光在亮度規(guī)格要求較高，為了達到高畫質、高對比與高亮度，LED芯片亮度必須在1,800mcd以上，晶電原本是臺灣唯一藍光芯片亮度可達 1,700mcd量產(chǎn)的業(yè)者，在技術上領先臺灣其他上游芯片廠，在晶電正式進入亮度達1,800mcd以上的量產(chǎn)階段后，將可爭取高毛利率的高亮度LED 芯片市場。

在芯片1mm、電流350mA的大尺寸藍光LED部分，在照明應用起飛的帶動下，晶電在2007年7月的發(fā)光效率為75 lm/W，由于過去較專注于小尺寸LED的技術研發(fā)，因此相較于Lumileds達到115 lm/W的水準仍有一段距離，晶電表示，2008年將努力朝向大尺寸技術的發(fā)展，預計2008年發(fā)光效率將可達到85 lm/W。