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半導(dǎo)體制造用高純超細(xì)立方SiC微粉

由高純度(99.99%~99.9999%)、精細(xì)(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源，經(jīng)氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅，其優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性使其在軍工、航天、航空、電子行業(yè)等高尖端領(lǐng)域用來替代電子級(jí)單晶硅和多晶硅，成為當(dāng)前高科技領(lǐng)域公認(rèn)的第三代半導(dǎo)體材料和LED等應(yīng)用的電子封裝、基板材料。

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