LEDinside專稿

全新60W GaN HEMT Psat 晶體管幫助降低軍用和民用雷達系統(tǒng)，對于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求

科銳公司（CREE）宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W，頻率為 3.1至3.5GHz 之間，與傳統(tǒng)Si或 GaAs MESFET 器件相比，能夠提供優(yōu)越的漏極效率（接近70%）。同時，高效率和高功率密度的結(jié)合有助于最大限度地降低散熱的要求，并減少在商用雷達系統(tǒng)應(yīng)用中的尺寸與重量。

科銳無線射頻（RF）及微波部門總監(jiān) Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出豐富了科銳高效 S 波段GaN晶體管與單片式微波集成電路（MMIC）產(chǎn)品系列，從而為客戶在商用雷達系統(tǒng)高功率放大電路的應(yīng)用中提供更多的選擇。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有優(yōu)異信號保真度的同時擴展脈沖能力，并最大限度地降低散熱管理需求，從而能夠幫助無線射頻設(shè)計工程師大幅度地降低雷達系統(tǒng)的尺寸和重量，同時擴大應(yīng)用范圍并降低安裝成本。”

科銳 CGH35060 GaN HEMT 晶體管28V 工作電壓下的額定脈沖功率為 60W（當脈寬為100微秒時），功率增益為12dB，漏極效率為 65%，與傳統(tǒng)硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已經(jīng)在高功率放大器參考設(shè)計（S 波段頻率在3.1至3.5GHz 之間）中得到驗證。與 GaAs和Si技術(shù)相比，CGH35060 還具有長脈沖、高功率性能（低于0.6dB）、優(yōu)異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性。

新型GaN HEMT 晶體管與科銳 S 波段全套產(chǎn)品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件（2.7 – 2.9GHz / 3.1 – 3.5GHz）以及CMPA2735075F兩級封裝GaN HEMT 單片式微波集成電路（MMIC）。