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智芯達(dá)MicroLED巨量轉(zhuǎn)移側(cè)邊磁控濺射成膜機(jī)機(jī)成功下線

3月11日,智芯達(dá)首臺(tái)(套)巨量轉(zhuǎn)移側(cè)邊磁控濺射成膜機(jī)成功下線。

據(jù)了解,巨量轉(zhuǎn)移側(cè)邊磁控濺射成膜機(jī)采用了3D磁控濺射技術(shù)和低溫低損技術(shù),通過優(yōu)化陰極靶材應(yīng)用、磁場控制和等離子體區(qū)域限制等關(guān)鍵技術(shù),顯著提升了成膜穩(wěn)定性和成膜附著力,同時(shí)降低了高溫?fù)p傷,為Micro LED無縫無限拼接性能提升提供了支持。

智芯達(dá)

圖片來源:智芯達(dá)

智芯達(dá)是一家集研發(fā)、制造和銷售半導(dǎo)體領(lǐng)域核心設(shè)備的企業(yè),專注于新型顯示技術(shù),擁有多項(xiàng)國內(nèi)外專利。其主要設(shè)備包括:3D側(cè)面布線真空濺鍍設(shè)備、半導(dǎo)體芯片電磁屏蔽濺鍍設(shè)備、Micro OLED低溫低損濺鍍設(shè)備和半導(dǎo)體TSV/TGV濺鍍設(shè)備。

今年以來,國產(chǎn)設(shè)備商在Micro LED領(lǐng)域取得了持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)突破,向下游提供了包括檢測、封裝、巨量轉(zhuǎn)移、剝離、修復(fù)以及外延生長等關(guān)鍵設(shè)備。這些進(jìn)展有助于提高M(jìn)icro LED技術(shù)的良率和效率,推動(dòng)行業(yè)不斷突破技術(shù)瓶頸。

除了智芯達(dá)外,英諾激光、壹倍科技、壹倍科技等設(shè)備廠商在Micro LED領(lǐng)域也有進(jìn)展傳來。

1月1日,英諾激光宣布成功向新客戶交付了Micro LED關(guān)鍵設(shè)備,包括激光去晶和激光切割設(shè)備。激光去晶是“剝離-轉(zhuǎn)移-去晶-補(bǔ)晶-共晶”工藝線中的核心工序,通過激光光束整形和聚焦技術(shù),配合平臺(tái)控制系統(tǒng),精準(zhǔn)高效地去除不良芯片、異物和殘膠,確保晶粒無損傷、無粉塵殘留,從而提高了巨量轉(zhuǎn)移和修復(fù)工藝的良率和效率。

而激光切割設(shè)備可滿足掩膜板、MIP封裝以及多種材質(zhì)基板的切割需求,具備高精度、高效率、熱影響小、機(jī)械應(yīng)力小、表面潔凈度高等優(yōu)點(diǎn)。

1月7日,壹倍科技宣布完成了2024年度最后一批Micro LED巨量檢測設(shè)備的交付,順利達(dá)成全年交付目標(biāo)。此次交付的設(shè)備包括專為COW/COC發(fā)光性能PL檢測設(shè)計(jì)的M1070P設(shè)備,以及針對COW/COC外觀/位置AOI量檢測的M1075A設(shè)備。

資本市場方面,深交所官網(wǎng)顯示,專注于半導(dǎo)體專用設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的矽電股份已于1月13日提交創(chuàng)業(yè)板IPO注冊申請。此次募資約5.56億元,資金將用于探針臺(tái)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)、分選機(jī)技術(shù)研發(fā)、營銷服務(wù)網(wǎng)絡(luò)升級以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

其中,分選機(jī)技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目主要面向Mini/Micro LED應(yīng)用方向,計(jì)劃引進(jìn)先進(jìn)的研發(fā)軟硬件設(shè)備,建立功能完善的研究實(shí)驗(yàn)室,并加大對高精度可靠性、Mini/Micro LED芯片拾取和分選技術(shù)的研發(fā)力度。(LEDinside Mia整理) 

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