近日，TCL華星、羅化芯相繼取得Micro LED專利，涉及芯片轉(zhuǎn)移，AR/VR全彩顯示技術(shù)等。

TCL華星光電取得 Micro LED 芯片的轉(zhuǎn)移裝置及轉(zhuǎn)移方法專利

2024年12月31日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，TCL華星光電技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“Micro LED芯片的轉(zhuǎn)移裝置及轉(zhuǎn)移方法”的專利，授權(quán)公告號(hào) CN114695624B，申請(qǐng)日期為2022年3月。
 

圖片來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

該發(fā)明提供了一種Micro LED芯片的轉(zhuǎn)移裝置及轉(zhuǎn)移方法，包括：機(jī)臺(tái)，用于承載并傳送目標(biāo)基板；臨時(shí)基板，用于臨時(shí)承載Micro LED芯片；刺輪，包括至少3個(gè)刺針，所述刺針用于將所述Micro LED芯片從所述臨時(shí)基板上脫離，轉(zhuǎn)移至所述目標(biāo)基板上；滑輪，用于傳送所述臨時(shí)基板；

在所述Micro LED芯片轉(zhuǎn)移過程中，所述刺輪和所述滑輪位于所述機(jī)臺(tái)的上方，且位于所述臨時(shí)基板背離所述Micro LED芯片的一側(cè)。通過采用本發(fā)明提供的所述轉(zhuǎn)移裝置，實(shí)施本發(fā)明提供的轉(zhuǎn)移方法，對(duì)所述Micro LED芯片進(jìn)行轉(zhuǎn)移，可以達(dá)到百萬顆/小時(shí)的轉(zhuǎn)移效率，提高了Micro LED芯片的轉(zhuǎn)移效率，從而提高了Micro LED顯示屏的生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

羅化芯取得AR/VR全彩Micro LED顯示裝置及其制備方法專利

2024年12月31日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司取得一項(xiàng)名為“一種AR/VR全彩 Micro LED顯示裝置及其制備方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN118969937B，申請(qǐng)日期為 2024年10月。

圖片來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

本發(fā)明涉及一種AR/VR全彩Micro-LED顯示裝置及其制備方法，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。在本申請(qǐng)的AR/VR全彩Micro-LED顯示裝置的制備方法中，通過設(shè)置層疊設(shè)置的第一保護(hù)層、第二保護(hù)層以及第三保護(hù)層，且第二保護(hù)層的密度大于第一保護(hù)層的密度，且所述第二保護(hù)層中臨近所述第一保護(hù)層的一側(cè)的密度小于所述第二保護(hù)層的另一側(cè)的密度，且兩側(cè)密度差為0.6-1.5g/cm；

所述第三保護(hù)層的密度大于所述第二保護(hù)層的所述另一側(cè)的密度，通過設(shè)置密度逐漸變化的第二保護(hù)層，進(jìn)而使得第二保護(hù)層的致密性逐漸提高，有效保護(hù)第一保護(hù)層的同時(shí)，使得第二保護(hù)層的外表面的剛性增加，且第三保護(hù)層的剛性更大，進(jìn)而在后續(xù)轉(zhuǎn)移工序以及使用過程中，有效保護(hù)Micro-LED芯片。（LEDinside整理）

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