近日，長(zhǎng)虹旗下啟?？?、思坦科技、廈門未來(lái)顯示技術(shù)研究院公布最新Micro LED專利，涉及提升Micro LED紅光亮度、簡(jiǎn)化Micro LED結(jié)構(gòu)提升亮度、實(shí)現(xiàn)低成本全彩化顯示等。

啟睿克：Micro-LED與Micro-QLED混合投影技術(shù)，突破紅光亮度問(wèn)題

11月8日，長(zhǎng)虹旗下四川啟?？丝萍加邢薰拘极@得一項(xiàng)專利，名為“基于Micro-LED和Micro-QLED的混合式投影光學(xué)裝置”，公布號(hào)為CN221960401U。這項(xiàng)技術(shù)不僅將改變傳統(tǒng)投影設(shè)備的設(shè)計(jì)方式，還將有效解決當(dāng)前許多投影技術(shù)面臨的紅光亮度不足的問(wèn)題。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

該專利的核心在于混合使用Micro-LED與Micro-QLED兩種顯示技術(shù)。Micro-LED以其高亮度和寬廣的色域著稱，而Micro-QLED則以出色的色彩表現(xiàn)和更高的像素密度而獲得廣泛認(rèn)可。借助X-Cube合色棱鏡，四川啟睿克實(shí)現(xiàn)了色彩的高效組合，尤其是在紅光亮度的提升上，形成了一個(gè)更加完善的光源解決方案。

具體來(lái)看，該投影光學(xué)裝置設(shè)計(jì)中，綠光Micro-LED微顯示屏正對(duì)投影鏡頭的入光口，而藍(lán)光Micro-LED和紅光Micro-QLED則分別與綠光Micro-LED呈90度角排列。這樣的布局并不是偶然，而是一種深思熟慮的工程設(shè)計(jì)，結(jié)合了兩種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，有效減少了紅光的光損失，從而大幅提升了紅光亮度，尤其是在需要展現(xiàn)鮮艷色彩的圖像時(shí)，表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。這一點(diǎn)在戶外及明亮環(huán)境中的投影效果尤為顯著，能夠更好滿足用戶在各種光照條件下的使用需求。

思坦科技：簡(jiǎn)化Micro LED發(fā)光結(jié)構(gòu)，提升光電效率

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市思坦科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“Micro-LED發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備”的專利，公開號(hào)CN118919614A，申請(qǐng)日期為2024年8月。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NMicro LED發(fā)光結(jié)構(gòu)的制作方法、Micro LED發(fā)光結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備。該制作方法包括：在襯底上生長(zhǎng)緩沖層和外延層，在外延層上形成掩模鈍化層，干法刻蝕掩模鈍化層形成多個(gè)像素空間和多個(gè)像素隔離部，在刻蝕后的掩模鈍化層上逐層形成量子阱發(fā)光層、電子限制層和電流擴(kuò)散層，應(yīng)用濕法工藝刻蝕像素隔離部直至顯露外延層，得到在像素空間中形成的側(cè)壁完好的臺(tái)階像素結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)的方法制作的Micro LED發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁完好，光電效率提升，該方法還簡(jiǎn)化了發(fā)光結(jié)構(gòu)的加工流程。

廈門未來(lái)顯示技術(shù)研究院：節(jié)省晶圓面積，實(shí)現(xiàn)Micro LED全彩化

11月11日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廈門未來(lái)顯示技術(shù)研究院有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種具有疊層的Micro-LED芯片及其制作方法”的專利，公開號(hào)CN118919622A，申請(qǐng)日期為2024年9月。
 

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種具有疊層的MicroLED芯片及其制作方法，利用呈階梯狀的疊層技術(shù)，使所有的P型半導(dǎo)體層在相應(yīng)的階梯面各自具有電極接入?yún)^(qū)域，可在實(shí)現(xiàn)第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)以及第三發(fā)光結(jié)構(gòu)的獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)上，可最大限度地節(jié)省晶圓面積實(shí)現(xiàn)全彩化，降低生產(chǎn)成本；同時(shí)結(jié)合所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體層和所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體層通過(guò)絕緣鍵合層進(jìn)行鍵合的設(shè)置，如此可避免聚合物粘合劑在鍵合所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和第二發(fā)光結(jié)構(gòu)過(guò)程中所出現(xiàn)的因鍵合厚度不均勻而導(dǎo)致的刻蝕不凈現(xiàn)象。（LEDinside整理）

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