近日，兆馳半導(dǎo)體、乾照光電、國星半導(dǎo)體、鐳昱光電相繼公布了最新Micro LED專利，涉及Micro LED檢測(cè)、芯片制備、顯示面板制備等。

兆馳半導(dǎo)體：Micro LED檢測(cè)設(shè)備

兆馳半導(dǎo)體公布了名為“Micro LED檢測(cè)設(shè)備”的實(shí)用新型專利，公布號(hào)CN221350483U，公布日期2024年7月16日。

該實(shí)用新型公開了一種Micro LED檢測(cè)設(shè)備，包括從下到上依次設(shè)置的紫外面光源、透明基板、光罩板、濾光片、CCD檢測(cè)探頭，所述透明基板上放置有待測(cè)Micro LED芯片，所述光罩板上設(shè)有與所述待測(cè)Micro LED芯片所處位置相匹配的透光孔。本實(shí)用新型提供的Micro LED檢測(cè)設(shè)備能夠快速篩查出異常芯片并進(jìn)行剔除。
 

圖片來源：國家專利局

 

乾照光電：一種Micro LED芯片及其制備方法

由乾照光電控股的廈門未來顯示技術(shù)研究院有限公司，在近日公布稱為“一種Micro LED芯片及其制備方法”的發(fā)明專利，公布號(hào)CN118335867A。該專利可進(jìn)一步提高M(jìn)icro LED芯片的發(fā)光效率。

圖片來源：國家專利局

具體來看，該專利公開了一種Micro LED芯片及其制備方法，涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管領(lǐng)域，該Micro LED芯片包括：襯底和量子阱層，量子阱層中的AlInP勢(shì)壘層的Al組分的含量在第一方向上逐漸增加，使得GaInP勢(shì)阱層和AlInP勢(shì)壘層之間的勢(shì)能差逐漸增大，并且由于鋁組分較高的勢(shì)壘層具有更高的勢(shì)壘，能夠?qū)⑤d流子束縛在有源區(qū)內(nèi)增加電子空穴復(fù)合幾率，增強(qiáng)了電流的橫向擴(kuò)展和縱向擴(kuò)展，從而提高M(jìn)icro LED芯片的發(fā)光效率和亮度；同時(shí)還能夠保證高鋁組分的AlInP勢(shì)壘層與低勢(shì)能的GaInP勢(shì)阱層在材料上不存在失配，提高有源區(qū)的晶體生長質(zhì)量。

國星半導(dǎo)體：公布兩項(xiàng)Micro LED顯示制備專利

國星半導(dǎo)體公布了一項(xiàng)名為“Micro LED顯示裝置及其制備方法”的專利，申請(qǐng)公布號(hào)：CN118367069A。

圖片來源：國家專利局

該發(fā)明公開了一種Micro LED顯示裝置的制備方法，包括以下步驟：(1)提供Micro LED發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括依次層疊的襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，在所述襯底背面制備應(yīng)力補(bǔ)償層；(2)在所述P型半導(dǎo)體層上制備電流擴(kuò)展層、第一鍵合層和第一臨時(shí)鍵合層；(3)提供驅(qū)動(dòng)基板，并在所述驅(qū)動(dòng)基板表面設(shè)置第二鍵合層和第二臨時(shí)鍵合層；(4)利用鍵合工藝將Micro LED芯片及驅(qū)動(dòng)基板鍵合；(5)制備單個(gè)Micro LED像素；(6)在所述單個(gè)Micro LED像素間沉積鈍化層，并暴露出N型半導(dǎo)體層；(7)在所述鈍化層外制備共N電極；(8)在所述Micro LED像素之間制備金屬反射層，得到Micro LED顯示裝置。

另外，國星半導(dǎo)體還公布了名為“一種Micro LED顯示面板及其制備方法”的專利，申請(qǐng)公布號(hào)CN118367070A。

圖片來源：國家專利局

該發(fā)明公開了一種Micro LED顯示面板及其制備方法，所述制備方法包括以下步驟：(1)提供半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)；(2)在半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)上制備電流擴(kuò)展層、第一金屬反射層和第一鍵合層；(3)提供驅(qū)動(dòng)基板，驅(qū)動(dòng)基板表面間隔設(shè)有第二鍵合層；(4)將半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)鍵合至驅(qū)動(dòng)基板上，形成金屬鍵合層；(5)制備出單個(gè)Micro LED像素；(6)在單個(gè)Micro LED像素間沉積鈍化層，并暴露出N型半導(dǎo)體層；(7)在所述鈍化層外制備共N電極；(8)在Micro LED像素之間制備第二金屬反射層，并在第二金屬反射層上噴涂熒光粉層，得到Micro LED顯示面板。本發(fā)明能夠減少鍵合金屬刻蝕的厚度，從而減少刻蝕對(duì)芯片側(cè)壁的損傷。

鐳昱光電：Micro LED顯示芯片及其制備方法

鐳昱光電的一項(xiàng)名為“Micro LED顯示芯片及其制備方法”的發(fā)明專利已獲授權(quán)，授權(quán)公告號(hào)：CN118099336B。
 

圖片來源：國家專利局

該專利提供了一種Micro LED顯示芯片及其制備方法，該Micro LED顯示芯片包括驅(qū)動(dòng)面板、多個(gè)LED單元和擋光層，多個(gè)LED單元彼此間隔設(shè)置于驅(qū)動(dòng)面板的一側(cè)表面上，擋光層限定出多個(gè)柵格孔，擋光層位于驅(qū)動(dòng)面板朝向LED單元的一側(cè)表面上，使多個(gè)LED單元一一對(duì)應(yīng)收容于多個(gè)柵格孔內(nèi)；其中，擋光層與驅(qū)動(dòng)面板之間的距離小于LED單元的發(fā)光層與驅(qū)動(dòng)面板之間的距離。本申請(qǐng)的方案可有效減少或防止相鄰LED單元之間發(fā)生光線串?dāng)_，提升Micro LED顯示芯片的發(fā)光亮度。（LEDinside整理）

轉(zhuǎn)載請(qǐng)標(biāo)注來源！更多LED資訊敬請(qǐng)關(guān)注官網(wǎng)(007seojiaoyu.cn)或搜索微信公眾賬號(hào)(LEDinside)。