近日，據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，海信視像科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“MicroLED暫態(tài)轉(zhuǎn)移基板及MicroLED的轉(zhuǎn)移方法“，公開(kāi)號(hào)CN117334619A，申請(qǐng)日期為2022年6月。

該專利可提高M(jìn)icro LED轉(zhuǎn)移良率和轉(zhuǎn)移效率，實(shí)現(xiàn)Micro LED的選擇性轉(zhuǎn)移，易于個(gè)別位置的后續(xù)修補(bǔ)，實(shí)現(xiàn)Micro LED位置無(wú)偏移，Micro LED表面無(wú)殘膠。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利具體內(nèi)容如下：該發(fā)明公開(kāi)了一種Micro LED暫態(tài)轉(zhuǎn)移基板及Micro LED的轉(zhuǎn)移方法，Micro LED暫態(tài)轉(zhuǎn)移基板包括：第一掩模版和粘性緩沖結(jié)構(gòu)，粘性緩沖結(jié)構(gòu)位于第一掩模版的一側(cè)，與第一掩模版接觸設(shè)置，粘性緩沖結(jié)構(gòu)相對(duì)于第一掩模版可移動(dòng)；

第一掩模版包括多個(gè)第一通孔，粘性緩沖結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第二通孔和連接部；連接部在粘性緩沖結(jié)構(gòu)相對(duì)于第一掩模版的第一設(shè)置位置與第一通孔對(duì)應(yīng)設(shè)置，第二通孔在粘性緩沖結(jié)構(gòu)相對(duì)于第一掩模版的第二設(shè)置位置與第一通孔對(duì)應(yīng)設(shè)置。

此外，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局消息透露，海信視像還申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“一種微型發(fā)光二極管芯片、制備方法及顯示裝置”的專利，申請(qǐng)日期2022年，申請(qǐng)公布號(hào)CN117253959A。該專利可在在不縮減芯片尺寸的基礎(chǔ)上減小了芯片的發(fā)光面積。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

具體專利內(nèi)容如下：專利公開(kāi)了一種微型發(fā)光二極管芯片、制備方法及顯示裝置。該微型發(fā)光二極管芯片包括：襯底；覆蓋在襯底的一側(cè)表面的有源層，有源層包括依次層疊的電子型半導(dǎo)體層、多量子阱層以及空穴型半導(dǎo)體層；從區(qū)域角度劃分，有源層包括發(fā)光部和封裝部，發(fā)光部與封裝部間設(shè)有溝槽。

位于發(fā)光部遠(yuǎn)離襯底一側(cè)表面設(shè)有用于導(dǎo)電的金屬層。本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)在有源層的指定區(qū)域設(shè)置表面設(shè)有連通電極的發(fā)光部，并在余下有源層設(shè)置不具備發(fā)光能力的封裝部與溝槽，以使有源層內(nèi)僅有發(fā)光部所在區(qū)域能夠在電流驅(qū)動(dòng)下發(fā)光，以此在不縮減芯片尺寸的基礎(chǔ)上減小了芯片的發(fā)光面積。（LEDinside整理）

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