11月24日,國(guó)星光電發(fā)布最新的調(diào)研報(bào)告,與投資者分享公司在第三代半導(dǎo)體及Mini/Micro LED領(lǐng)域的發(fā)展近況。
國(guó)星光電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域方面的布局覆蓋上游芯片、中游封測(cè)及下游應(yīng)用。上游芯片方面,國(guó)星光電布局了硅基氮化鎵的外延芯片;在中游封裝上,國(guó)星光電已建成第三代半導(dǎo)體功率器件實(shí)驗(yàn)室及試產(chǎn)線;而下游應(yīng)用端,國(guó)星光電積極與相關(guān)企業(yè)洽談合作和訂制樣品的開(kāi)發(fā)。
在外延芯片領(lǐng)域,國(guó)星光電積累了一定的技術(shù)優(yōu)勢(shì),其子公司國(guó)星半導(dǎo)體擁有硅基氮化鎵芯片相關(guān)技術(shù)儲(chǔ)備。目前,國(guó)星半導(dǎo)體聯(lián)合多所高校及研究所展開(kāi)GaN功率器件、紫外探測(cè)器芯片、深紫外UVC芯片等方向的研發(fā)工作并參與兩項(xiàng)第三代半導(dǎo)體方向的省級(jí)研發(fā)項(xiàng)目。
在超高清顯示領(lǐng)域方面,國(guó)星光電研發(fā)了覆蓋MiniLED直顯 P0.4到P0.9全系列產(chǎn)品, 其中 MiniLED P0.4系列產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的20 in 1 封裝方式是目前全球封裝密度最高的 Mini 產(chǎn)品。
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Micro LED方面,國(guó)星光電的巨量轉(zhuǎn)移工藝取得突破性進(jìn)展,產(chǎn)品良率高。此外,國(guó)星半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了面向P0.3和 P0.1間距Micro LED芯片,目前小批量供貨國(guó)星光電研究院。
另外,國(guó)星光電透露,目前公司推出了智能健康感測(cè)器件,可廣泛應(yīng)用于智能手表、智能手環(huán)等設(shè)備場(chǎng)景。公司智能健康感測(cè)器件主要由發(fā)射器 1816 系列及接收器 3220 光敏系列組成。目前,該智能健康感測(cè)器件已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并已與客戶(hù)展開(kāi)相關(guān)合作。(LEDinside 整理)
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