6月5日，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）8英寸硅基氮化鎵芯片量產(chǎn)儀式在江蘇汾湖高新區(qū)舉行。這標(biāo)志著英諾賽科成為世界上第一家實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵（GaN）量產(chǎn)的企業(yè)。

8英寸硅基氮化鎵芯片蘇州一期項目，預(yù)計投資80億元。英諾賽科一期項目于2020年9月舉行設(shè)備搬入儀式，進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。同年11月通線試產(chǎn)，短短幾個月時間，項目進(jìn)展快速，于近日宣布開啟大規(guī)模量產(chǎn)。

項目預(yù)計2021年實現(xiàn)產(chǎn)能可達(dá)6000片/月，全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計將實現(xiàn)年產(chǎn)能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓，預(yù)計年產(chǎn)值150億元，利稅超15億元。

建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。

與量產(chǎn)儀式一起舉行的還有“8英寸硅基氮化鎵芯片生產(chǎn)線一期第一階段產(chǎn)能擴(kuò)展建設(shè)項目”簽約儀式，以及研發(fā)樓奠基儀式。

圖片來源：汾湖發(fā)布

會上，英諾賽科總經(jīng)理孫在亨指出，半導(dǎo)體硅材料在經(jīng)過70多年的開發(fā)后，已經(jīng)接近其材料極限，而氮化鎵則具備未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展所需的特性。在過去兩年中，基于氮化鎵的市場應(yīng)用取得了很多突破，開始在消費電子、工業(yè)、汽車等市場全方位地滲透，尤其在快充、激光雷達(dá)、手機(jī)、5G、新能源汽車、無線充電和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域發(fā)揮出巨大的潛能。“我毫不懷疑基于氮化鎵的應(yīng)用將是半導(dǎo)體未來十年增長最快的領(lǐng)域。”孫在亨強(qiáng)調(diào)，“隨著英諾賽科蘇州工廠的成功量產(chǎn)，我們已經(jīng)做好了全面準(zhǔn)備去迎接氮化鎵時代的到來。”

英諾賽科成立于2017年，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高科技企業(yè)，采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，產(chǎn)品涵蓋30-900V功率半導(dǎo)體器件、IC及射頻RF器件，是全球唯一能夠同時量產(chǎn)低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的公司。

英諾賽科被國家四部委(發(fā)改委、工信部、財政部、海關(guān)總署)列入重點支持的0.25微米以下的集成電路企業(yè)，是國內(nèi)第一個通過國家發(fā)改委窗口指導(dǎo)的第三代半導(dǎo)體項目。（來源：化合物半導(dǎo)體市場，Amber整理）

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