近日從杭州灣新區(qū)管委會獲悉，新區(qū)與中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司全資子公司——華大半導(dǎo)體有限公司完成寬禁帶半導(dǎo)體材料項(xiàng)目簽約。這是新區(qū)搶抓半導(dǎo)體材料技術(shù)迭代發(fā)展機(jī)遇的最新成果，標(biāo)志著新區(qū)集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步完善，數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迎來“芯”動力。

項(xiàng)目總投資10.5億元，計(jì)劃年產(chǎn)8萬片4吋至6吋碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于5G通訊、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

據(jù)悉，該項(xiàng)目是全省首個(gè)第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目。第三代半導(dǎo)體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，已成為半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和競爭焦點(diǎn)。

“設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、封裝、測試……半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條上的任一環(huán)節(jié)的技術(shù)門檻都很高。華大寬禁帶半導(dǎo)體材料項(xiàng)目專注半導(dǎo)體制造過程的前端工序——半導(dǎo)體材料，而且還是屬于時(shí)下發(fā)展大熱門的第三代半導(dǎo)體材料。”杭州灣新區(qū)管委會有關(guān)負(fù)責(zé)人表示，新時(shí)期集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展背景下，該項(xiàng)目的簽約對新區(qū)搶占下一代信息技術(shù)制高點(diǎn)具有較大發(fā)展意義。 （來源：中國寧波網(wǎng)）

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