鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（簡(jiǎn)稱“鎵特”）全球發(fā)售4英寸自支撐氮化鎵襯底。鎵特使用自主研發(fā)的HVPE設(shè)備生長(zhǎng)自支撐GaN（氮化鎵）襯底，攻克了GaN高質(zhì)量生長(zhǎng)工藝、高良率剝離工藝、低成本研磨拋光工藝等關(guān)鍵技術(shù)，完成了中試開發(fā)，具備了量產(chǎn)4英寸自支撐GaN襯底的能力。

該公司從設(shè)備到晶體生長(zhǎng)工藝全流程均具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，其中HVPE設(shè)備已經(jīng)更新至第6代機(jī)型，目前已經(jīng)申請(qǐng)專利45項(xiàng)，并獲得高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)證。

據(jù)悉，鎵特自支撐GaN襯底XRD搖擺曲線（002）和（102）半峰寬（FWHMs）均在50-60 aresec之間，位錯(cuò)密度低至1E6 /cm2，中心點(diǎn)offcut偏向m面0.35°，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行調(diào)整，晶格曲率半徑大于10米。研磨拋光后的GaN襯底表面粗糙度在0.3nm以下，其他表面指標(biāo)達(dá)到epi ready的標(biāo)準(zhǔn)。GaN襯底綜合技術(shù)指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到世界先進(jìn)水平。

基于鎵特的研發(fā)成果，成立了鎵特半導(dǎo)體科技（銅陵）有限公司，規(guī)劃年產(chǎn)36000片4英寸自支撐GaN襯底，產(chǎn)業(yè)規(guī)模居世界第一。在價(jià)格上，鎵特4英寸自支撐GaN襯底價(jià)格與同尺寸SiC襯底相當(dāng)，以推動(dòng)GaN-on-GaN技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用。

此外，鎵特4英寸”epi-ready”自支撐氮化鎵襯底主要應(yīng)用于超高亮度發(fā)光二極管（LED）芯片，激光二極管（LD）芯片, 發(fā)射基站級(jí)高能量密度高頻（RF）芯片，千伏特級(jí)電力（power）芯片，等等。

來源：鎵特半導(dǎo)體

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