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愛思強(qiáng)BM 300在日本綜合研究所成功投入應(yīng)用

德國愛思強(qiáng)股份有限公司4月12日宣布,其BM 300系統(tǒng)在日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(AIST)成功投入應(yīng)用。該系統(tǒng)于2011年安裝到AIST研究所設(shè)于筑波市的高級無塵室中,并由愛思強(qiáng)的當(dāng)?shù)胤?wù)支持團(tuán)隊進(jìn)行調(diào)試。AIST研究團(tuán)隊的負(fù)責(zé)人佐藤信太郎(Shintaro Sato)博士在2012年4月10日的美國材料協(xié)會春季會議上,公布了實驗生長結(jié)果。

“AIST成功在300mm的晶圓上生長出單分子層石墨烯,對于我們來說是一個重要的里程碑,”愛思強(qiáng)納米技術(shù)設(shè)備總監(jiān)Ken Teo博士表示,“BM 300是技術(shù)最為先進(jìn)的石墨烯生產(chǎn)平臺,擁有能夠精準(zhǔn)地輸送前置物質(zhì)成熟的氣體輸送系統(tǒng)、ARGUS原位晶圓熱分布控制、高度均勻的晶圓加熱器、自動化處理器等。在300mm的晶圓上實現(xiàn)高度可控且可重復(fù)的石墨烯沉積,是進(jìn)行大規(guī)模的晶圓級石墨烯生產(chǎn)的必要步驟,并為新一代的半導(dǎo)體設(shè)施開發(fā)具有獨特性質(zhì)的石墨烯奠定了基礎(chǔ)。”

佐藤博士帶領(lǐng)AIST的團(tuán)隊將運用該系統(tǒng)沉積出限定層數(shù)的高質(zhì)量石墨烯。這將是制造低電壓CMOS FET加工技術(shù)的主要步驟,使其能夠在低于0.3伏的電壓下工作。

該項研究由世界領(lǐng)先創(chuàng)新科技研發(fā)資金計劃(Funding Program for World-Leading Innovative R&D on Science and Technology,簡稱FIRST)投資,旨在鼓勵先進(jìn)科技研發(fā),以增強(qiáng)日本的國際競爭力,并通過分享研究成果,為社會和人民的福祉作貢獻(xiàn)。FIRST計劃經(jīng)日本政府內(nèi)閣辦公室的綜合科學(xué)技術(shù)會議于2009年批準(zhǔn),由日本政府內(nèi)閣辦公以及日本學(xué)術(shù)振興會共同運營。這次晶圓加工研究在AIST研究所合作研究團(tuán)隊的綠色納米電子中心(Green Nanoelectronics Center)進(jìn)行,屬于FIRST 計劃的“綠色納米電子核心技術(shù)研發(fā)”項目(核心研究員:橫山直樹(Naoki Yokoyama)博士)的一部分。綠色納米電子中心成立于2010年4月,由來自學(xué)術(shù)界以及工業(yè)界的研究員組成。
 

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