科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布，截至2011 年 4 月，公司的無線射頻（RF）業(yè)務(wù)部門已出貨的商用碳化硅襯底氮化鎵 (GaN-on-SiC) RF 功率晶體管和 MMIC 產(chǎn)品的合計(jì) RF 輸出功率已突破 10 兆瓦。這一里程碑式成果充分說明了科銳的氮化鎵HEMT 和氮化鎵 MMIC 技術(shù)擁有高兼容性、可靠性和業(yè)經(jīng)證明的優(yōu)異性能。這 10 兆瓦中只包括商用 RF 產(chǎn)品，不包含氮化鎵 MMIC 晶圓代工業(yè)務(wù)的 1.5 兆瓦出貨量。

在實(shí)現(xiàn)里程碑式出貨量的同時(shí)，科銳還保持著每10億器件小時(shí)內(nèi)低于10次的超低計(jì)次失效率 (FIT率)，這比其它 RF 功率晶體管技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)計(jì)次失效率（ FIT 率）低 80%。

科銳公司 無線射頻（RF）總監(jiān) Jim Milligan 表示：“我們的碳化硅襯底氮化鎵器件累計(jì)實(shí)地工作時(shí)間已經(jīng)超過 14 億小時(shí)，其可靠性超過其它高壓硅技術(shù)或者砷化鎵技術(shù)，是目前為止國內(nèi)氮化鎵器件供應(yīng)商已知的累計(jì)現(xiàn)場數(shù)據(jù)中的最大值，其中不僅包含分立晶體管，還包含復(fù)雜的多級氮化鎵 MMIC。這10兆瓦里程碑式的出貨量充分證明了科銳的氮化鎵技術(shù)已被迅速廣泛采用，涉及領(lǐng)域不僅包括軍事應(yīng)用，還包括電信基站、寬帶測試設(shè)備、民用雷達(dá)和醫(yī)療應(yīng)用等。如果我們以現(xiàn)在的速度繼續(xù)向這些新的細(xì)分市場擴(kuò)張， 2011年底我們的出貨量有望在 10 兆瓦的基礎(chǔ)上再翻一番?！?br />
作為美國最大的碳化硅襯底氮化鎵 RF 晶圓處理技術(shù)的生產(chǎn)商，科銳已經(jīng)開發(fā)出品類豐富全面的氮化鎵 HEMT 和氮化鎵 MMIC 產(chǎn)品，旨在滿足數(shù)量不斷增加的 RF 陣列和微波應(yīng)用對寬波段、高效率和高可靠性的要求。

25 年來，科銳不斷將創(chuàng)造性、突破性的創(chuàng)新成果帶到半導(dǎo)體行業(yè)，從最早的藍(lán)光 LED，到全球首款碳化硅 MOSFET，再到業(yè)界第一個(gè)碳化硅襯底氮化鎵 MMIC 的問世，科銳一直奮戰(zhàn)于技術(shù)的最前沿。