日媒報(bào)導(dǎo)，由美國(guó)明導(dǎo)科技（Mentor Graphics）公司的MicReD（Microelectronics Research and Development）部門與德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）Automotive Power Application部門2005年共同發(fā)表創(chuàng)意時(shí)所提出的半導(dǎo)體封熱阻檢測(cè)方法，被管理半導(dǎo)體封裝熱特性評(píng)測(cè)技術(shù)的JEDEC JC15委員會(huì)認(rèn)定為“JESD51-14”標(biāo)準(zhǔn)，命名為“在熱量流過(guò)單一路徑的半導(dǎo)體器件時(shí)，用于檢測(cè)結(jié)（器件的結(jié)點(diǎn)）－殼（封裝的外殼）間熱阻的雙面瞬態(tài)檢測(cè)方法”

此次的標(biāo)準(zhǔn)基于MicReD推出的下述技術(shù)：（1）靜態(tài)的瞬態(tài)熱阻檢測(cè)技術(shù)（已成為JEDEC51-1標(biāo)準(zhǔn)），（2）利用由該技術(shù)獲得的時(shí)間-溫度分布信息導(dǎo)出構(gòu)造函數(shù)（顯示熱阻-熱容關(guān)系的函數(shù)或圖形）。另外，這兩項(xiàng)技術(shù)已通過(guò)使用明導(dǎo)提供的熱阻檢測(cè)用硬件“T3Ster”及其軟件，實(shí)現(xiàn)了商品化。

JESD51-14的方法在包含隔離層和不包含隔離層兩種場(chǎng)合（“雙面”）均基于以上兩種技術(shù)，推算出各自的構(gòu)造函數(shù)。構(gòu)造函數(shù)一致的部分可作為結(jié)-殼間熱阻高精度求出。另外，在微處理器等散熱路徑不單一時(shí)，通過(guò)改為單一路徑的設(shè)計(jì)并多次檢測(cè)，便可求出熱阻。