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Veeco發(fā)表用于生產(chǎn)HB LED的MaxBright™ GaN MOCVD

2011-02-10 10:38:31 [編輯：wendymeng]

日前，Veeco宣布，其引進的TurboDisc ® MaxBright™氮化鎵（GaN）有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）多反應(yīng)器系統(tǒng)，用于生產(chǎn)HB LED。

Veeco介紹，MaxBright利用Veeco的FlowFlange ®集群架構(gòu)自動化技術(shù)和專業(yè)知識在一個模塊化的兩個或四個反應(yīng)器通過組合多個、新、高通量金屬有機化學氣相沉積反應(yīng)器。

該MaxBright反應(yīng)堆，在K465i的基礎(chǔ)上經(jīng)過生產(chǎn)驗證，既要擴大晶圓的生產(chǎn)能力和先進、專有的、封閉循環(huán)熱控技術(shù)，同時擴大-均勻性、重復(fù)性和材料的質(zhì)量。MaxBright MOCVD系統(tǒng)可提供生產(chǎn)能力達216 × 2，56 × 4，24 × 6或12 × 8晶圓。此外，無縫轉(zhuǎn)移K465i配方MaxBright能使客戶實現(xiàn)快速生產(chǎn)。

同時，Veeco相關(guān)人士指出，“MaxBright的價值主張是明確的：它是最高的生產(chǎn)力MOCVD系統(tǒng)制造高亮度LED市場上。該架構(gòu)支持單腔或多腔層的生長能力，提高LED結(jié)構(gòu)過程的靈活性高要求。 MaxBright的緊湊型架構(gòu)還允許一個獨立的金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)足跡效率增益高達2.5倍。總體而言，MaxBright提供了500％的增值比較緊湊封裝的K465i以靈活的?！?/p>

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