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「氮化鎵-MOCVD深紫外LED材料生長設(shè)備」在青島研制成功

據(jù)悉,中國國家「863」半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)專案「氮化鎵-MOCVD深紫外LED材料生長設(shè)備」制造取得重大突破,研制成功了大陸首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、能夠同時(shí)生長6片LED外延片的MOCVD設(shè)備。

此項(xiàng)項(xiàng)目由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)。該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、電腦多學(xué)科為一體,是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備,在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極體(LED)、雷射器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用,是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)上游階段關(guān)鍵設(shè)備。

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