在美國拉斯韋加斯舉辦的氮化物半導(dǎo)體國際學會「ICNS-7」上,加州大學圣巴巴拉分校(UCSB)與三菱化學聯(lián)合發(fā)表了利用GaN結(jié)晶非極性面的藍色LED。
該LED利用非極性面中的m面的藍色LED。如果將阱層厚8nm、勢壘層厚18nm的量子阱的發(fā)光層進行6次層迭,即形成6層,在20mA電流驅(qū)動下,光輸出功率為23.7mW,外部量子效率為38.9%。此時,發(fā)光波長為407nm。
同樣地,如果將阱層厚16nm、勢壘層厚18nm的量子阱的發(fā)光層進行6次層迭,即形成6層,在20mA電流驅(qū)動下,光輸出功率可達28mW,外部量子效率可達45.4%,此時發(fā)光波長為402nm。
當驅(qū)動電流增至200mA時,該款LED產(chǎn)品的光輸出功率高達250mW,外部量子效率高達41%。