近日,德國歐司朗光電半導體(OSRAM Opto Semiconductors)在「ICNS-7」展會上發(fā)表一款綠色LED。該款綠光LED芯片在1A驅動下,光通量為191lm、發(fā)光效率為48lm/W、波長為527nm。
芯片尺寸為1mm,采用350mA的電流驅動時,光通量為100lm、發(fā)光效率為81lm/W、波長為532nm。
歐司朗還試產了尺寸為460μm×255μm的芯片。在20mA驅動時發(fā)光效率為107lm、振蕩波長為532nm。這兩種產品有效改善了「Droop」現(xiàn)象(藍色LED、綠色LED等將InGaN作為發(fā)光層的LED在提高輸入電流密度時發(fā)光效率出現(xiàn)下降的現(xiàn)象),亮度得到大大提高。