功率型LED燈的研發(fā)是市場關(guān)注的焦點，超高亮度InGaAIP紅黃光與InGaN藍(lán)綠光LED零件的研制成功與迅速發(fā)展，為功率型LED零件的開發(fā)奠定了基礎(chǔ)。在未來的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展之路中，功率型LED將具備良好的市場前景。

一、金屬有機化合物汽相淀積（MOCVD）　
使用業(yè)界常見的金屬有機化合物汽相淀積的外延生長技術(shù)，以及多量子井架構(gòu)來擴大LED芯片面積，從而加大芯片的工作電流，提高芯片的整體功率。從目前單芯片1瓦、3瓦和5瓦的大功率LED向功率高至10瓦，具有更高發(fā)光效率、經(jīng)濟實用的固態(tài)LED照明光源邁進(jìn)。

二、芯片鍵合（Water Bonding）　
目前使用芯片鍵合的A1GaInP（TS）取代吸光的GaAs襯底（AS）的倒梯形架構(gòu)的功率型大面積芯片，工作電流可達(dá)500毫安培（mA），光通量超過60流明（lm），以脈沖方式工作時，則可達(dá)140流明（lm）。此用InGaAIP（AS）材質(zhì)表面架構(gòu)的新一代功率型LED芯片，可以獲得大于5成的外量子效率，其基本效能與TS架構(gòu)的LED產(chǎn)品類似，可取代一般的方形芯片，而且還可以很容易按比例放大成為功率型的大大小芯片，因此在降低生產(chǎn)成本和實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)方面，材質(zhì)表面高效取光架構(gòu)的InGaAIP（AS）LED具有廣闊的發(fā)展前景?！?/span>

三、芯片架構(gòu)　
功率型LED所用的外延材料，雖然其內(nèi)量子效率還需進(jìn)一步提高，但獲得高發(fā)光通量的最大障礙乃是芯片的取光效率低，其原因是半導(dǎo)體與封裝環(huán)氧的折射率相差較大，致使內(nèi)部的全反射臨界角很小。

現(xiàn)階段，一般理念設(shè)計的超高亮度LED產(chǎn)品，并不能充分滿足照明所需的亮度。為了提高LED的亮度，必須使用新的設(shè)計理念，用倒裝焊新架構(gòu)來提高芯片的發(fā)光效率。

四、生產(chǎn)工藝
1.金屬有機化合物汽相淀積（MOCVD）
2.倒裝焊接與芯片鍵合
3.材質(zhì)表面架構(gòu)與動態(tài)自適應(yīng)粉涂布量控制。

五、產(chǎn)業(yè)化技術(shù)指標(biāo)
1.芯片功率：1W、3W、5W、10W
2.產(chǎn)品成品率必須大于等于95％以上

六、未來發(fā)展動向
1.手電筒、礦燈、航標(biāo)燈等均為大功率LED的重要應(yīng)用范圍。
2.車用市場將是白光LED的高成長領(lǐng)域，汽車內(nèi)外部照明均會用到大功率ＬＥＤ。
3.手機、數(shù)位相機用的閃光燈，將會進(jìn)一步提高高率LED的利用率。
4.路燈照明、燈飾、景觀燈會慢慢地用高功率LED產(chǎn)品取代霓虹燈，被視為重要市場。