第一章 近眼顯示設(shè)備發(fā)展總覽

AR / VR / MR 的字匯誕生
從 Reality 到 Virtuality - 虛實(shí)影像的連續(xù)光譜
MR 營(yíng)銷定義可大致分成兩大派
實(shí)現(xiàn) XR 體驗(yàn)的技術(shù)架構(gòu)
Holy Grail: “The Whale Moment” of MR
AR / VR / MR 技術(shù)規(guī)格分析
AR / VR / MR 顯示技術(shù)路線
高 PPI 是 AR / VR / MR 應(yīng)用的共同難題
人眼的高分辨率僅限于正中央: 從 Retina 到 Fovea
Foveated Display: 把像素作高效益的再分配
擴(kuò)增 / 虛擬現(xiàn)實(shí)顯示挑戰(zhàn): 視覺(jué)輻輳調(diào)節(jié)沖突 (VAC)
VR / MR 裝置顯示方案迭代
VR / MR 關(guān)鍵指標(biāo): 失控的分辨率需求
VR / MR 難題: PPD/厚度與功耗的 Trade-off
VR / MR 光學(xué)技術(shù)核心指針: 厚度
VR / MR 光學(xué)技術(shù)核心指針: FOV
VR / MR 難題: 降低 MPRT 抑制顯示畫面拖影問(wèn)題
Pancake 光學(xué)漸漸成為 VR / MR 新技術(shù)標(biāo)配
Pancake 2.0: 光學(xué)技術(shù)重點(diǎn)匯整
Pancake 2.0: 厚度再減薄
Pancake 2.0: 效率再提升
VR / MR 光學(xué)系統(tǒng)概述
VR / MR 顯示: LCD vs OLED
VR / MR 的 PPD 戰(zhàn)場(chǎng)從 Display 端拉到系統(tǒng)端
VST 顯示的延遲問(wèn)題
VR / MR 需求與顯示技術(shù)規(guī)格的鏈接
AR 關(guān)鍵挑戰(zhàn): 小，還要更小 !
AR 關(guān)鍵挑戰(zhàn): 亮，還要更亮 !
光學(xué)系統(tǒng)趨勢(shì)
光學(xué)引擎 (Light Engine) 與光學(xué)系統(tǒng) (Optical System)
AR光學(xué)分析總覽
AR 需求與顯示技術(shù)規(guī)格的鏈接
擴(kuò)增實(shí)境顯示技術(shù)矩陣分析

第二章 近眼顯示設(shè)備市場(chǎng)趨勢(shì)分析

2024-2028 近眼顯示設(shè)備規(guī)模分析
2024-2028 VR / MR 裝置規(guī)模分析
2024-2028 AR 裝置規(guī)模分析
2024-2028 VR / MR 裝置規(guī)模分析: LCD/OLEDoS
2024-2028 AR 裝置規(guī)模分析: OLEDoS/LEDoS

第三章 近眼顯示微顯示技術(shù)總覽

3.1 OLEDoS

OLEDoS 基本工藝流程
OLEDoS 技術(shù)總覽
OLEDoS- PPI 與亮度再提升
OLEDoS 分析: Sony / eMagin / Kopin / RAONTECH
鋁陽(yáng)極制程作為高分辨率 OLEDoS 替代選擇
鋁陽(yáng)極若采用可能改變 OLEDoS 產(chǎn)業(yè)分工
OLEDoS 也可以透明: OLED-on-SOI
2024年 OLEDoS 從 AR 走向 VR / MR
3.2 LEDoS

擴(kuò)增實(shí)境: LEDoS 制程
LEDoS 技術(shù)組合藍(lán)圖
LEDoS 設(shè)備與制程升級(jí)
磊晶: 基板材料與尺寸選擇
芯片: 2D / 3D 結(jié)構(gòu)分析
芯片與后芯片制程
ALD Passivation
接合 (Bonding) 關(guān)鍵: 溫度、壓力、精度是技術(shù)重點(diǎn)
接合 (Bonding) 關(guān)鍵: 熱膨脹不匹配 (CTE Mismatch)
接合 (Bonding) 關(guān)鍵: 尺寸不匹配挑戰(zhàn)
非一般 Bonding 路線: LED + 電路單基板制程
LED 光源的原生限制: 收光挑戰(zhàn)
On-Chip Optics: 微光學(xué)成為新標(biāo)配
全彩化微型顯示技術(shù)分析
InGaN 紅光技術(shù)
紅光選擇: InGaN or AlInGaP?
InGaN Red LEDoS 仍有很多發(fā)展中的技術(shù)手段
全彩化: QD色彩轉(zhuǎn)換優(yōu)勢(shì)與限制分析
全彩化: 利用 NRET 機(jī)制讓 QDCC 再進(jìn)化
QDCC 高分辨率能力達(dá)到 3,000 PPI
全彩化: RGB 垂直堆棧
垂直堆棧 LEDoS 技術(shù)
垂直堆棧 LEDoS 關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)
垂直堆棧 LEDoS 技術(shù)優(yōu)勢(shì)
Vertical Stack LED PKG: 商業(yè)化應(yīng)用鎖定顯屏
LEDoS 微縮的下個(gè)戰(zhàn)場(chǎng): QDCC vs Vertical Stack
全彩化: 可以只用一顆，為何要用多顆? 變色 LED
Wire/Rod LEDoS: 高 PPI 應(yīng)用效率優(yōu)勢(shì)
LEDoS 技術(shù)于 NED 應(yīng)用潛力評(píng)比
Wire/Rod LEDoS: 優(yōu)劣勢(shì)分析
LEDoS 微顯示關(guān)鍵技術(shù)分析
3.3 LCD

LCD 關(guān)鍵技術(shù): Color Sequential (CS)
LCD 關(guān)鍵技術(shù): Mini LED背光
LCD (on Glass) 的 PPI 突破
LCD (on Glass) 的 High Frame Rate 技術(shù)手段
LCD 的背光革命: 雷射背光
LCD 的背光革命: 雷射背光 + HOE
LCD 技術(shù)發(fā)展總結(jié): 當(dāng) LCD 的潛力全釋放
LCD 豐富的武器庫(kù)可使其在 VR / MR 應(yīng)用上保持競(jìng)爭(zhēng)力
3.4 LCoS

LCOS: 光機(jī)微縮
LCOS 技術(shù): 面板模塊尺寸微縮至 0.47cc
3.5 DLP

DLP 再進(jìn)化: Tilt-and-Roll Pixel (TRP) 技術(shù)
3.6 LBS

激光束掃描 (LBS) 技術(shù): 生態(tài)系持續(xù)發(fā)展與光機(jī)微縮
激光束掃描 (LBS) 技術(shù): 尺寸微縮 / 提高分辨率
3.7 OLED P113
OLED 微顯技術(shù)可與其他消費(fèi)電子應(yīng)用技術(shù)形成正循環(huán)
OLED 驅(qū)動(dòng)電路垂直堆棧: OLED-on-OS-on-Si

第四章 產(chǎn)業(yè)布局與廠商動(dòng)態(tài)

XR 大廠的 LEDoS 并購(gòu)布局概覽
Google 并購(gòu)布局 (JDC/Raxium)
Meta 并購(gòu)布局 (InfiniLED/MLED)
Apple 并購(gòu)布局 (Luxvue/Tesoro)
Porotech
JBD 顯耀科技
Sitan 思坦科技
Raysolve 鐳昱光電
Saphlux 賽富樂(lè)斯
Mojo Vision
Ostendo
LG OLEDoS 進(jìn)化之路 (2021-2024)
企業(yè)連手加入高階 MR 設(shè)備戰(zhàn)局
Apple Vision Pro 的顯示與光學(xué)
Apple Vision Pro 外溢效應(yīng)
Apple Vision Pro 的消費(fèi)端生產(chǎn)力工具策略

LCD vs OLED 的微顯之戰(zhàn): Quest 3 vs. Vision Pro