生長LED有機層的外延片工藝方法有氣相外延片(VPE）、液相外延片（LPE）、金屬有機化學氣相淀積（MOCVD）、分子束外延片（MBE）。它們生長LED有機層的材料分別有氣相外延片CaAsp、GaP，液相外延片GaP，GaAlAs，金屬有機物化學氣相淀積InGaAlP、InCaN，分子束外延片ZnSe等。

氣相外延片比較簡單，往往在外延片生長后要再通過用擴散的方法制作PN結(jié)，所以效率低。

液相外延片已能一爐生長60-100片，生產(chǎn)效率較高，通過稼的重復使用成本也已降得很低，可用以制造高亮度GaP綠色發(fā)光器件和一般亮度的GaP紅色發(fā)光器件，也可用它制造超高亮度GaAlAs發(fā)光器件。

金屬有機化學氣相淀積法（MOCVD）是目前生產(chǎn)超高亮度InCaN藍、綠色LED和InCaAIP紅、黃色LED的主要方法，它既能精確控制生長厚度，又能精密控制外延片層的組成?？捎么朔ㄉL超高亮度LED結(jié)構(gòu)中所需要的量子阱階層和DBR反射結(jié)構(gòu)種的20個左右的週期層，也適用于大量生產(chǎn)，是目前生產(chǎn)超高亮度LED的主要方法。

分子束外延片目前主要用于研制ZnSe白色發(fā)光二極體，效果很好，能生長小于10A的外延片層，確定是生長數(shù)度較慢，每小時約1mm，裝片容量也頗少，生產(chǎn)效率較低。